产品名称：KS1212DAT单N沟道高级功率 MOSFET
产品型号：KS1212DAT
代理品牌：kwansemi冠禹
产品封装：TO-252封装
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发货货仓：深圳、香港
热门标签：KS1212DAT，KS1212DAT资料，KS1212DAT沟槽MOSFET
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冠禹KS1212DAT单N沟道高级功率 MOSFET
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产品概况
产品特点
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单N沟道高级功率 MOSFET
特征
·100V/36A，
RDs(ON) =16mΩ(Typ.) @VGs=10V
RDs(on) =21mΩ(Typ.) @VGs=4.5V
·优秀的QG RDS(on)产品(FOM)
·SGT科技
·100%雪崩测试
应用
·电源开关应用动作
·LED背光
笔记：
①脉冲宽度受安全工作区限制。
②根据最大允许结温计算出的连续电流。
③安装在1平方英寸铜板上时，t≤10sec。 任何给定应用程序中的值
取决于用户的具体电路板设计。
④受TJmax限制，IAS=12A，L=0.5mH，VDD=50V，RG=25Ω，启动TJ=25°C。
⑤脉冲测试；脉冲宽度≤300µs，占空比≤2%。
⑥设计保证，未经生产测试。
Single N-Channel Advanced Power MOSFET
Features
·100V/36A，
RDs(ON) =16mΩ(Typ.) @VGs=10V
RDs(oN) =21mΩ(Typ.) @VGs=4.5V
·Excellent QG RDS(on) product(FOM)
·SGT Technology
·100%Avalanche Tested
Applications
·Power Switching Appli action
·LED Backlighting
Notes:
①Pulse width limited by safe operating area.
②Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature.
③When mounted on 1 inch square copper board, t≤10sec. The value in any given application
depends on the user's specific board design.
④Limited by TJmax, IAS =12A, L=0.5mH, VDD = 50V, RG = 25Ω , Starting TJ = 25°C.
⑤Pulse test;Pulse width≤300µs, duty cycle≤2%.
⑥Guaranteed by design, not subject to production testing.
