专业元器件代理商

一站式采购平台
原厂正品/全新包装/现货供应

您当前所在位置: 首页 > 产品中心> 冠禹> 沟槽MOSFET

冠禹KS1212DAT单N沟道高级功率 MOSFET

全新包装/正品保证/进口品牌/售后无忧

产品名称:KS1212DAT单N沟道高级功率 MOSFET

产品型号:KS1212DAT

代理品牌:kwansemi冠禹

产品封装:TO-252封装

交期时间:现货一般当天交货,预定需电话详情.

发货货仓:深圳、香港

热门标签:KS1212DAT,KS1212DAT资料,KS1212DAT沟槽MOSFET

咨询热线:13189714166 在线咨询

资料下载:kwansemi冠禹KS1212DAT沟槽MOSFET-封装TO-252规格书

产品概况 产品特点 相关下载

单N沟道高级功率 MOSFET


特征

·100V/36A,

RDs(ON) =16mΩ(Typ.) @VGs=10V

RDs(on) =21mΩ(Typ.) @VGs=4.5V

·优秀的QG RDS(on)产品(FOM)

·SGT科技

·100%雪崩测试


应用

·电源开关应用动作

·LED背光


笔记:

①脉冲宽度受安全工作区限制。

②根据最大允许结温计算出的连续电流。

③安装在1平方英寸铜板上时,t≤10sec。 任何给定应用程序中的值

取决于用户的具体电路板设计。

④受TJmax限制,IAS=12A,L=0.5mH,VDD=50V,RG=25Ω,启动TJ=25°C。

⑤脉冲测试;脉冲宽度≤300µs,占空比≤2%。

⑥设计保证,未经生产测试。




Single N-Channel Advanced Power MOSFET


Features

·100V/36A,

RDs(ON) =16mΩ(Typ.) @VGs=10V

RDs(oN) =21mΩ(Typ.) @VGs=4.5V

·Excellent QG  RDS(on) product(FOM)

·SGT Technology

·100%Avalanche Tested


Applications

·Power Switching Appli action

·LED Backlighting



Notes:

①Pulse width limited by safe operating area.

②Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature.

③When mounted on 1 inch square copper board, t≤10sec. The value in any given application

depends on the user's specific board design.

④Limited by TJmax, IAS =12A, L=0.5mH, VDD = 50V, RG = 25Ω , Starting TJ = 25°C.

⑤Pulse test;Pulse width≤300µs, duty cycle≤2%.

⑥Guaranteed by design, not subject to production testing.


传递价值,成就你我

服务热线

13189714166

上班时间

9:00-18:00

联系我们

地址:深圳市福田区彩田南路2010号中深花园A座六层

电话:0755-83322522 传真:0755-83648400

Q Q:3007952373

邮箱:jh@icbest.com

微信公众号

官方微博号

找IC芯片,就找泰德兰电子

帮助您解决电子元器件采购难题!

2021©版权所有 深圳市泰德兰电子有限公司   1605662374762953.gif  工信部备案: 粤ICP备16122434号  网站地图
技术支持:泰德兰推广部