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维安WMN04N65DM,650V N沟道功率MOSFET

全新包装/正品保证/优选品牌/售后无忧

产品名称:维安WMN04N65DM,650V N沟道功率MOSFET规格书

产品型号:WMN04N65DM

代理品牌:WAYON维安

产品封装: TO-220F,TO-262 ,TO-252,TO-251,TO-251S2,TO-251S3

交期时间:现货一般当天交货,预定需电话详情.

发货货仓:深圳/香港/上海/苏州

热门标签:WMN04N65DM规格书,WMN04N65DM原理图

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描述

WMOSTM DM是硅N沟道增强型VDMOSFET,采用自对准平面技术获得,可降低导通损耗,提高开关性能,增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。


特征

快速切换

典型。 RDS(on) =2.3Ω

低栅极电荷(典型值 Qg = 12.5C)

典型。 Crss = 4.1pF

100% UIS 测试


应用

LED照明、充电器、适配器、PC、液晶电视、服务器


image.pngPart Package Marking Packing method

WML04N65DM TO-220F WML04N65DM Tube

WMN04N65DM TO-262 WMN04N65DM Tube

WMO04N65DM TO-252 WMO04N65DM Tape and Reel

WMP04N65DM TO-251 WMP04N65DM Tube

WMH04N65DM TO-251S2 WMH04N65DM Tube

WMG04N65DM TO-251S3 WMG04N65DM Tube


Description

WMOSTM DM, the silicon N-channel enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency.


Features

Fast Switching

Typ. RDS(on) =2.3Ω

Low Gate Charge (Typ. Qg = 12.5C) 

Typ. Crss = 4.1pF

100% UIS Tested


Applications

LED Lighting, Charger, Adapter, PC, LCD TV, Server 


标签:
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