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台湾松木ME2333/ME2333-G 中低压mos管

全新包装/原厂正品/量大价优/售后无忧

产品名称:台湾松木P 沟道 20V (D-S) MOSFET

产品型号:ME2333/ME2333-G

代理品牌:台湾松木

产品封装:SOT-23

交期时间:现货一般当天交货,具体需电话详情.

发货货仓:深圳/香港

热门标签:松木ME2333/ME2333-G,P沟道MOS管

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资料下载:台湾松木mos管ME2333/ME2333-G产品规格书

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  ME2333 / ME2333-G,P沟道20V(D-S)MOSFET


  ME2333一般说明:


  ME2333是使用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计,可最大程度地降低导通电阻。 这些器件特别适合低压应用,例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路,在这些应用中,需要采用非常小巧的表面贴装封装进行高端开关和低串联电源损耗。

  ME2333产品应用:


  ●笔记本中的电源管理


  ●便携式设备


  ●电池供电系统


  ●DC / DC转换器


  ●负荷开关


  ●DSC


  ●液晶显示逆变器


  ME2333/ME2333-G,P-Channel 20V (D-S) MOSFET


  GENERAL DESCRIPTION


  The ME2333 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook


  computer power management and other battery powered circuits where high-side switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.



  APPLICATIONS


  ● Power Management in Note book


  ● Portable Equipment


  ● Battery Powered System


  ● DC/DC Converter


  ● Load Switch


  ● DSC


  ● LCD Display inverter


  ME2333特征:


  ●RDS(ON)≦35mΩ@VGS=-4.5V


  ●RDS(ON)≦49mΩ@VGS=-2.5V


  ●RDS(ON)≦69mΩ@VGS=-1.8V


  ●超高密度电池设计,可实现极低的RDS(ON)


  ●出色的导通电阻和最大直流电流能力


  FEATURES


  ● RDS(ON)≦35m?@VGS=-4.5V


  ● RDS(ON)≦49m?@VGS=-2.5V


  ● RDS(ON)≦69m?@VGS=-1.8V


  ● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)


  ● Exceptional on-resistance and maximum DC current  capability


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