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台湾松木P沟道ME20P06-G_60V(D-S)MOSFET

全新包装/原厂正品/量大价优/售后无忧

产品名称:P沟道ME20P06-G-60V(D-S)MOSFET

产品型号:ME20P06-G

代理品牌:台湾松木

产品封装:TO-252-3L

交期时间:现货一般当天交货,具体需电话详情.

发货货仓:深圳/香港

热门标签:P沟道ME20P06-G,松木P沟道ME20P06-G,松木mos

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资料下载:台湾松木P沟道ME20P06/ME20P06-G MOS管

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  ME20P06-G说明:


  ME20P06是采用高单元密度DMOS沟槽技术生产的P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管。 这种高密度工艺经过特别设计,可最大程度地降低导通电阻。 这些器件特别适合于低电压应用,例如蜂窝电话和笔记本计算机电源管理以及其他电池供电的电路,并且在非常小的外形表面安装封装中需要低的在线功率损耗。

  ME20P06-G应用:


  ●笔记本中的电源管理

  ●DC / DC转换器

  ●负荷开关

  ●液晶显示逆变器


P沟道ME20P06-G-60V(D-S)MOSFET

ME20P06-G特征


  ●RDS(ON)≦78mΩ@ VGS = -10V

  ●RDS(ON)≦100mΩ@VGS=-4.5V

  ●超高密度电池设计,可实现极低的RDS(ON)

  ●出色的导通电阻和最大直流电流能力



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