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理光R5449系列 高效单节锂电保护芯片

全新包装/正品保证/海量现货/售后无忧

产品名称:高效单节锂电保护芯片

产品系列:R5449(新款)

代理品牌:日本理光

产品封装:WLCSP-8-P8

交期时间:现货一般当天交货,预定需电话详情.

发货货仓:深圳福田

热门标签:单节锂电保护芯片,高效单节锂电保护芯片,电池保护芯片

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资料下载:理光半导体_R5449系列 高效单节锂电保护芯片_消费品应用产品规格书

产品概况 产品特点 相关下载

R5449 系列

高效单节锂电保护芯片,内置驱动,可使用高位Nch FET开关,内置温度保护

R5449系列芯片是单节锂电池保护芯片,对过电压充电,欠电压放电,充电过电流,放电过电流,以及温度异常均有保护作用。此芯片能驱动外置高位Nch MOSFET开关,此芯片对电压,电流的检测精度非常高,并且能够防止0V电池再充电。

此外,本产品提供超低耗电的Standby Mode,当发现欠压放电,电压低于电路最低值时,会进入Standby Mode, 此时内部电路会停止工作。另外,使用CTL端子也可以强制芯片进入Standby Mode。

项目 消费
输入电压1.5 V to 5.0 V (Maximum Rating: 6.5 V)
元件数1
电源电流Typ. 5.0 µA
待机电流Max. 0.04 µA
过充电检测电压4.2 V to 4.6 V (0.005 V step)
过充电检测电压精度±10 mV (0°C ≤ Ta ≤ 50°C)
过充电检测延迟时间1024 ms / 2048 ms / 3072 ms / 4096 ms
过放电检测电压2.0 V to 3.4 V (0.005 V step)
过放电检测电压精度±35 mV
过放电检测延迟时间16 ms / 32 ms / 128 ms
放电过电流检测电压0.012 V to 0.150 V (0.001 V step)
放电过电流检测电压精度0.012 V to 0.040 V: ±2mV
0.041 V to 0.060 V: ±5%
0.061 V to 0.150 V: ±3mV
放电过电流检测延迟时间32 ms / 128 ms / 256 ms / 512 ms / 1024 ms
充电过电流检测电压−0.150 V to −0.012 V (0.001 V step)
充电过电流检测电压精度−0.150 V to −0.061 V: ±3mV
−0.060 V to −0.041 V: ±5%
−0.040 V to −0.012 V: ±2mV
充电过电流检测延迟时间8 ms
短路检测电压0.032 V to 0.200 V (0.005V step)
短路检测电压精度±3 mV
检测延迟时间短280 µs
恢复过充的条件Latch
恢复过放电的条件Latch
封装WLCSP-8-P8
0 V Battery ChargeInhibition
Current SenseResistor / FET
Thermal ProtectionCharge and Discharge Current

【说 明】

如需更多高效单节锂电保护芯片相关产品规格书、原理图、封装图、管脚图、电路图、选型表、停产表、命名规则、宣传彩页等资料,可到相关下载、帮助支持版块页面进行下载。
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产品名称对应封装标注信赖性
R5449Zxxxxx-E2-F
  • 1635834899.png

WLCSP-8-P8R5449ZR5449Z-F

有关产品的详细信息,请参见数据表。
封装文件包括封装尺寸,卷带规格,卷带盘尺寸,功耗和建议的焊盘图案。
请联系我们或我们的代理商以获取未发布的可靠性信息。


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