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捷捷微电发布先进PowerJE®10x12封装及国内领先SGT MOSFET，通过一千次温度循环可靠性测试
2022年1月26日，捷捷微电自主研发的高功率薄型封装PowerJE®10x12已进入规模化量产。此封装符合JEDEC标准MO-299B，同时兼容国际大厂如Infineon及Onsemi的同类TO-LeadLess封装，并通过严苛的一千次温度循环(-55℃~150℃)可靠性测试。相比传统的TO-263-3L封装，面积少了20%、高度降低了45%。在大幅度减少占用空间的同时，有效的提高功率密度，适合极为紧凑的终端设计。热阻表现优越而至散热效果更好，进一步保证器件的长期可靠性。
因应客户对性能及BOM(billofmaterial)空间的需求日渐提升，捷捷微电同时推出N沟道含自主知识产权JSFET®系列的JMSH1001ATL(VDS_Max=100V)和JMSH1504ATL(VDS_Max=150V)，两者均采用先进PowerJE®10x12封装。在VGS＝10V条件下,器件的RDS(ON)_Typ及FOM测量值分别是1.3mΩ/202(JMSH1001ATL)及3.3mΩ/290(JMSH1504ATL)。其中JMSH1001ATL的电气特性，更为国内领先水平、与欧美日同类产品不遑多让。此外，一流的线性模式/安全工作区(SOA)特性，使器件在大电流的工作状态下，仍能实现安全可靠的运作。极低的导通电阻有助于提高运行效能，降低系统成本，并延长器件的使用寿命。这两款产品已经广泛应用于电动工具、轻型电动车辆、光伏储能逆变器、5G通信及PoE++等终端。
捷捷微电功率分立器件市场总监樊君说：“JMSH1001ATL结合捷捷微电研发团队设计的芯片、由通过IATF16949认证的晶圆厂制造、再经捷捷微电车规级先进封装产线实现PowerJE®10x12组装测试，电器特性比肩国际一线半导体IDM大厂，有效实现了同类产品的国产化高端突破。该器件不仅具有超优的热导性能、低封装寄生电感效应，且可处理高达375A的电流，特别适用于那些在BOM(BillofMaterial)空间、电气性能和器件长期可靠性皆同样有高需求的应用。”
