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台湾松木ME4435/ME4435-G/P沟道MOS管

全新包装/原厂正品/量大价优/售后无忧

产品名称:台湾松木P 沟道 30V (D-S) MOSFET

产品型号:ME4435/ME4435-G

代理品牌:台湾松木

产品封装:SOT-23

交期时间:现货一般当天交货,具体需电话详情.

发货货仓:深圳/香港

热门标签:松木ME4435/ME4435-G,P沟道MOS管

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资料下载:台湾松木ME4435/ME4435-G中低压mos管产品规格书

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ME4435/ME4435-G,P沟道30V (D-S) MOSFET


一般说明


ME4435是P沟道逻辑增强型功率场,效应晶体管采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用,如手机和笔记本电脑、计算机电源管理和其他电池供电电路,这些应用需要在非常小的外形表面贴装封装中实现高侧开关和低在线功率损耗。


应用


● 笔记本电源管理


● 便携设备


● 电池供电系统


● DC/DC 转换器


● 负载开关


● DSC


● LCD 显示逆变器



ME4435/ME4435-G

  ME4435/ME4435-G,P-Channel 30V (D-S) MOSFET


  GENERAL DESCRIPTION


  The ME4435 is the P-Channel logic enhancement mode power field,effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench ,technology. This high density process is especially tailored to ,minimize on-state resistance. These devices are particularly suited,for low voltage application such as cellular phone and notebook,computer power management and other battery powered circuits,where high-side switching and low in-line power loss are needed in a ,very small outline surface mount package.


  APPLICATIONS


  ● Power Management in Note book


  ● Portable Equipment


  ● Battery Powered System


  ● DC/DC Converter


  ● Load Switch


  ● DSC


  ● LCD Display inverter


特征


● RDS(ON)≦20mΩ@VGS=-10V


● RDS(ON)≦35mΩ@VGS=-4.5V ● 超高密度电池设计,RDS(ON)极低


● 出色的导通电阻和最大直流电流能力

  FEATURES


  ● RDS(ON)≦20mΩ@VGS=-10V


  ● RDS(ON)≦35mΩ@VGS=-4.5V

      ● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)


  ● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability


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