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台湾松木P沟道ME2307/ME2307-G mos管

全新包装/原厂正品/量大价优/售后无忧

产品名称:台湾松木P沟道 30V(D-S)MOSFET

产品型号:ME2307/ME2307-G

代理品牌:台湾松木

产品封装:SOT-23

交期时间:现货一般当天交货,具体需电话详情.

发货货仓:深圳/香港

热门标签:P沟道ME2307-G,松木MEME2307,松木mos

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资料下载:台湾松木P沟道ME2307/ME2307-G mos管产品规格书

产品概况 产品特点 相关下载

  ME2307一般说明:


  ME2307是P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管,采用高单元密度的DMOS沟槽技术。 这种高密度工艺特别适合于最小化通态电阻。 这些设备特别适合低压应用,例如:作为手机和笔记本计算机的电源管理以及其他电池供电的电路,在非常小巧的表面贴装封装中,需要较低的在线功率损耗。


  ME2307应用领域:


  ●笔记本中的电源管理


  ●便携式设备


  ●电池供电系统


  ●负荷开关


  ●DSC

台湾松木P沟道ME2307/ME2307-G mos管产品规格书

  GENERAL DESCRIPTION


  The ME2307 is the P-Channel logic enhancement mode power field  effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench  technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook  computer power management and other battery powered circuits


  where low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.


  APPLICATIONS


  ● Power Management in Note book


  ● Portable Equipment


  ● Battery Powered System


  ● Load Switch


  ● DSC


  ME2307特征:


  ●RDS(ON)≦70mΩ@ VGS = -10V


  ●RDS(ON)≦95mΩ@VGS=-4.5V


  ●超高密度电池设计,可实现极低的RDS(ON)


  FEATURES


  ● RDS(ON) ≦70m?@VGS=-10V


  ● RDS(ON) ≦95m?@VGS=-4.5V


  ● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)


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