产品名称：台湾松木P沟道ME2301DN/ME2301DN-G 20V(D-S) MOSFET
产品型号：ME2301DN/ME2301DN-G
代理品牌：台湾松木
产品封装：DFN1006-3L
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发货货仓：深圳/香港
热门标签：P沟道ME2301DN，松木ME2301DN-G，松木mos
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台湾松木P沟道ME2301DN/G MOS管
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产品概况
产品特点
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ME2301DN一般说明
ME2301DN 是采用高单元密度、DMOS 沟槽技术生产的 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺特别适用于最大限度地减少导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用，例如手机和笔记本电脑、计算机电源管理和其他电池供电的电路，在非常小的外形表面贴装封装中需要低在线功率损耗。
ME2301DN应用
● 笔记本电源管理
● 便携设备
● 电池供电系统
● 负载开关
● DSC
ME2301DN特征
● RDS(ON) ≦90mΩ@VGS=-4.5V
● RDS(ON) ≦130mΩ@VGS=-2.5V
● 超高密度电池设计，RDS(ON) 极低
